Hersteller Produktnummer:
SPB35N10 G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPB35N10 G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12806524
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SPB35N10 G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 26.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 83µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1570 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SPB35N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000102172
SPB35N10GXT
SPB35N10 G-DG
SPB35N10G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB30NF10T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
971
TEILNUMMER
STB30NF10T4-DG
Einheitspreis
0.66
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF540NSTRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
7309
TEILNUMMER
IRF540NSTRLPBF-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FQB44N10TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
800
TEILNUMMER
FQB44N10TM-DG
Einheitspreis
0.96
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDB3682
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
401
TEILNUMMER
FDB3682-DG
Einheitspreis
0.92
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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